u盘闪存一些术语CE、DDR、Toggle、interleave、CH是什么？

  之前一直也有研究研究闪存，做做U盘，总有一些术语不太明白，就查了查资料，可能也是一知半解，估计也有一部分不对，就抛砖引玉吧，我想对完全不明白的新人还是有点意思的：
        CE：片选，大致来说，一个DIE 有一个CE，多CE的 单片闪存，就是 多管芯的闪存，相当于一片闪存那么大的地方，装下了不止一片闪存，特别是 BGA的板子，能实现单片双通道，就是这个原理。
        通道数： 通道数取决于主控IC的设计，一般现在的3.0 板子都是双通道板子(还有坑爹的916 单通道) ，也就是说支持双通道需要：主控的支持 加上电路板的设计。 理论上通道数翻倍，速度翻倍，TSOP的板子，一般来说，一面就是一个通道，多管芯的 TSOP 闪存，一般也只能单通道。尽量双贴。
       DDR 、Toggle：它俩可以用约等于，”同步“，同步闪存 速度比 异步闪存快了很多，尽量选用支持 同步模式的 闪存，一般来说，DDR 需要在量产的时候勾选，但是Toggle 是 默认开启的，不需要特殊操作。
       interleave ：  交 错操作，简单的把U盘的存储过程分解，可以解释为：第一步：数据发到存储总线、存储总线 到 NAND Flash；第二步就是反过来，interleave模式 就是 一个CE在 执行 第一步的时候，另一个CE 可以同时的 执行第二步，interleave 的等级，取决于 一个通道上的闪存的 CE数。
       来点图：







对了那个 威刚的 s102 pro 被我拆开了， 闪存是非常标准的正片， SDTNQGBMB-016G 两片，(其中一片 型号是刷的白漆，不解，扣不下来)外壳坏了，悲痛欲绝， 果断换到903 上， 惊喜的发现，闪存体质还行：
原来的速度：




换了903 之后 翻倍了，始料未及：